전자화학 G4인산(반도체 습식화학)

G4 인산은 고급 반도체 웨이퍼 제조 및 마이크로전자공학 제조를 위해 특별히 정제된 초-순도-약무기산입니다. 다단계 정제,-초미세 여과 및 클래스 1000 클린룸 밀봉 충진 공정을 통해 생산된 이 제품은 미량 금속 이온, 음이온 불순물 및 미세 입자가 매우 적으며 엄격한 SEMI G4 국제 반도체 표준을 완벽하게 준수합니다.

이 화학물질은 질화규소, 알루미늄 박막 및 특정 유전체 재료에 대한 탁월한 선택적 에칭 성능을 보유하고 있으며 안정적인 에칭 속도와 우수한 공정 제어성을 갖고 있습니다. 실리콘 기판과 산화물 층에 대한 손상을 최소화하여 표면 잔류 오염 물질을 효과적으로 제거하고 고급 웨이퍼 공정에 대한 초-청결도 요구 사항을 충족합니다. 엄격한 불순물 제어로 미세-결함 위험을 제거하여 고정밀 반도체 제조를 위한 높은 수율과 안정적인 작동을 보장합니다.-

모습:무색투명한 시럽상 점성액체, 무취

메모:모든 테스트 데이터는 배치-별 COA(분석 인증서)를 기반으로 합니다.

실리콘 질화물 및 알루미늄 필름 에칭:Si₃N₄ 박막, 알루미늄 금속 게이트, 알루미늄 패드층의 정밀 식각에 사용되는 반도체 전{0}}공정용 핵심 습식 식각 약품입니다. 탁월한 에칭 선택성을 갖추고 있어 산화규소 및 실리콘 기판을 효과적으로 보호하는 동시에 균일하고 안정적인 에칭 형태를 보장합니다.

웨이퍼 표면 정밀 세척:에칭 및 증착 공정 중에 생성된 미세-입자, 잔류 무기 불순물 및 표면 미량 오염물질을 제거합니다. 낮은-이온 특성은 2차 오염을 방지하고 고급 리소그래피 및 증착 공정을 위한 웨이퍼의 초-표면 청결도를 유지합니다.

복합 습식 용액 제제:집적 회로의 고정밀 마이크로{2}}나노 제조 요구 사항을 충족하는 반도체 특수 공정용 고순도 혼합 식각 및 세척 솔루션을 준비하는 데 사용됩니다.

MEMS 및 고급 반도체 패키징:MEMS 장치, 마이크로{1}}센서 및 고급 칩 패키징 구조의 마이크로{0}}식각 및 표면 처리에 적용되어 정확한 패턴 정의와 안정적인 장치 성능을 보장합니다.

포장 유형:청정-등급 부식-저항성 HDPE 밀봉 드럼, 전용 고순도 인산 포장-

공통 사양:25kg / 30kg 소형 드럼, 1000kg 부식-방지 IBC 토트백

채우는 환경:클래스 1000 클린룸, 완전 폐쇄형 초순수 충진 시스템, 입자 및 불순물 유입을 엄격하게 제어하여 2차 오염 방지

씰링 표준:높은-누수 방지-밀봉 구조, -오염 방지 및 열화 방지-로 장기간-순도 안정성 보장

● 서늘하고 건조하며 통풍이 잘되는 화학물질 전용창고에 보관하고, 직사광선, 고온, 열원을 피해 밀봉하여 보관하십시오.

● 화학 반응 및 순도 저하를 방지하기 위해 알칼리성 물질, 강산화제, 금속 분말 및 부식성 비친화성 물질로부터 격리하십시오.

● 불순물 농축 및 성능 변화를 방지하려면 장기간 노출 및 수분 흡수를 피하세요.-

● 유효 기간:표준 밀봉 보관 조건에서 12개월

● 인산은 부식성이 중간 정도이며 흡습성이 있습니다. 작업자는 표준 완전 PPE(산-내성 장갑, 화학 안전 고글, 부식-방지 앞치마 및 보호 작업복)을 착용해야 합니다.

● 모든 희석, 샘플링 및 취급 작업은 미스트 흡입과 피부 및 점막과의 직접적인 접촉을 피하기 위해 전문 흄후드에서 수행되어야 합니다.

● 희석하는 동안 탈이온수에 인산을 천천히 첨가합니다. 튀거나 화학적 손상을 방지하려면 절대로 농축 인산에 물을 첨가하지 마십시오.

● 액체가 튀거나, 피부에 닿거나, 누출된 경우 표준 작업 절차에 따라 즉시 응급 청소 및 폐기를 수행하십시오.

● 포괄적인 위험 정보, 운송 규정 및 상세한 응급 조치에 대해서는 공식 SDS 문서를 참조하세요.-

G4 인산의 각 배치는 SEMI G4 국제 반도체 산업 표준에 따라 엄격하게 생산, 정제 및 검사됩니다. 모든 배송에는 배치-별 공식 COA가 포함되어 있습니다. 전체 생산 및 충진 공정은 엄격한 클린룸 오염 제어 및 고순도 관리를 채택하여-불순물이 매우 낮고 배치 일관성이 안정적이며 공정 적응성이 높으며 첨단 반도체 제조의 엄격한 습식 공정 요구 사항을 완벽하게 충족합니다.

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