제품 식별
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목 |
사양 |
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제품명 |
G4 질산 |
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제품 카테고리 |
반도체 전자 습식화학 |
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화학명 |
질산 |
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화학식 |
HNO₃ |
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CAS 번호 |
7697-37-2 |
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분자량 |
63.01 |
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UN 번호 |
2031 |
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등급 |
SEMI G4 Ultra-고순도 전자 등급 |
제품개요
G4 질산은 반도체 웨이퍼 제조 및 고급 마이크로 전자공학 공정을 위해 특별히 개발된 고순도의 강력한 산화성 무기산입니다. 다단계 증류, 초-정제 및 클래스 1000 클린룸 충전 공정을 통해 제조된 이 제품은 미량 금속 이온, 음이온 불순물 및 부유 입자를 엄격하게 제어하여 SEMI G4 국제 반도체 표준을 완벽하게 준수합니다.
이는 반도체 전면-세척 및 금속 에칭에 중요한 습식 화학물질 역할을 합니다. 강력한 산화 및 세척 기능을 통해 실리콘 웨이퍼의 금속 오염물질, 유기 잔류물 및 표면 미세{2}}결함을 효율적으로 제거합니다. 불순물 함량이 매우-낮아 공정 오염 위험을 제거하고 웨이퍼 표면 품질을 안정화하며 고급 칩 제조를 위한 생산 수율을 향상시킵니다.
모습:무색 또는 약간 담황색의 투명한 휘발성 액체
기술 사양(SEMI G4 표준)
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테스트 항목 |
사양 |
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HNO₃ 분석 |
69.0 ~ 71.0 중량% |
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모습 |
무색 또는 담황색의 투명한 투명한 액체 |
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색상(APHA) |
10 이하 |
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밀도 @ 20도 |
1.40 ~ 1.42g/cm3 |
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증발 잔류물 |
50ppb 이하 |
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개별 미량 금속(Na, K, Ca, Mg, Fe, Cu, Al, Zn, Ni, Cr) |
각각 10ppb 이하 |
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황산염(SO₄²⁻) |
50ppb 이하 |
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염화물(Cl⁻) |
30ppb 이하 |
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인산염(PO₄³⁻) |
30ppb 이하 |
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0.2μm 이상의 입자 |
100개/mL 이하 |
메모:모든 테스트 데이터는 배치-별 COA(분석 인증서)를 기반으로 합니다.
응용 분야(반도체 습식 공정)
웨이퍼 중금속 청소:실리콘 웨이퍼 표면의 철, 구리, 아연 등 중금속 오염물질과 잔류 무기 불순물을 효과적으로 제거합니다. 강력한 산화 특성으로 인해 2차 오염 없이 철저한 세척이 가능하며 고급 웨이퍼 공정에 대한 초-청결 요구 사항을 충족합니다.
금속박막 에칭:반도체 제조 시 다양한 금속박막의 미세 식각 및 제거에 적용되며, 안정적인 식각률과 우수한 균일성을 가지며, 마이크로 전자소자의 정밀 패턴 가공에 적합합니다.
복합 웨트 클리닝 솔루션 제형:반도체 RCA 표준 세척 공정을 위한 혼합산 세척 용액을 준비하는 데 사용되며, 다른 전자 화학 물질과 협력하여 유기 잔류물, 입자 및 이온 불순물을 종합적으로 제거합니다.
MEMS 및 고급 패키징 처리:고정밀 마이크로 전자 제조 표준에 맞춰 MEMS 장치, 반도체 센서 및 칩 패키징 구성 요소의 표면 세척, 불순물 제거 및 마이크로 -식각에 적합합니다.
포장 및 충전 표준
포장 유형:청정-부식-저항성 HDPE 밀봉 드럼, 전용 질산 화학 포장
공통 사양:25kg / 30kg 소형 드럼, 1000kg 부식-방지 IBC 토트백
채우는 환경:클래스 1000 클린룸, 폐쇄형 초순수 충진 시스템, 2차 입자 및 불순물 오염을 엄격하게 제거
씰링 표준:항산화,-산화 방지,-휘발성 및 누출 방지-밀폐형 구조로 제품 품질 저하 및 외부 오염 방지
보관 및 유통기한
● 서늘하고 건조하며 통풍이 잘 되는 부식성 화학물질 전용 창고에 보관하고, 열분해를 방지하기 위해 직사광선, 고온, 열원을 피하고 단단히 밀봉하여 보관하십시오.
● 가연성 물질, 환원제, 알칼리성 화학 물질, 유기 물질을 엄격히 격리하여 격렬한 산화 반응 및 안전 위험을 방지합니다.
● 광분해로 인한 변색 및 순도 저하를 방지하려면 장기간 빛에 노출되는- 것을 피하세요.
● 유효 기간:표준 밀봉 및 어두운 보관 조건에서 12개월
취급 및 안전상의 주의사항
● 질산은 부식성이 강하고 산화성이 강하여 휘발성이 높습니다. 작업자는 내산성-내산성 장갑, 완전히 밀폐된 화학 고글, 내식성-앞치마, 보호 작업복 등 완전한 전문 PPE를 착용해야 합니다.
● 모든 취급, 희석 및 투여 작업은 인증된 흄후드에서 수행되어야 합니다. 휘발성 독성 가스의 흡입과 피부, 눈, 점막과의 직접적인 접촉을 피하십시오.
● 희석하는 동안 탈이온수에 질산을 천천히 첨가합니다. 액체가 튀거나 화학적 화상을 입지 않도록 진한 질산에 물을 붓지 마십시오.
● 우발적인 접촉, 유출 또는 누출이 발생한 경우 표준 운영 절차 및 SDS 지침에 따라 즉시 긴급 폐기를 수행하십시오.
● 전체 위험 분류, 운송 규정 및 상세한 응급 조치에 대해서는 공식 SDS 문서를 참조하세요.-
품질 보증
G4 질산의 각 배치는 SEMI G4 국제 반도체 산업 사양에 따라 엄격하게 생산, 정제 및 검사됩니다. 모든 배송에는 배치별-공식 COA가 함께 제공됩니다. 전체 생산 및 충진 공정은 엄격한 클린룸 오염 제어 및 산화 방지 관리를 채택하여-초고순도, 낮은 불순물 및 안정적인 배치 일관성을 보장하며 고급 반도체 습식 제조 공정의 엄격한 요구 사항을 완전히 충족합니다.
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