전자화학 G4 불산(반도체 습식화학)

G4 불화수소산은 고급 반도체 웨이퍼 제조 및 마이크로 전자공학 제조를 위해 독점적으로 정제된 고순도 불소- 기반 무기산입니다. 다단계 초{4}}정제, 부식-없는 여과 및 클래스 1000 클린룸 충진 기술을 채택한 이 제품은 초-미량 금속, 음이온 불순물 및 미세{10}}입자 함량을 특징으로 하며 엄격한 SEMI G4 국제 표준을 완벽하게 준수합니다.

반도체 전공정의 핵심 선택적 식각 및 세정 습식 화학물질로서{0}}실리콘 기판 및 질화막에 대한 손상을 최소화하면서 산화실리콘층에 대한 탁월한 식각 선택성을 나타냅니다. 엄격한 불순물 제어를 통해 미세-오염과 웨이퍼 결함을 효과적으로 방지하여 고급 칩 제조 공정의 높은 수율과 장기 안정성을 보장합니다.-

모습:무색 투명하고 투명한 휘발성 액체

메모:모든 테스트 데이터는 배치-별 COA(분석 인증서)를 기반으로 합니다.

웨이퍼 고유 산화물 제거:실리콘 기판을 손상시키지 않고 실리콘 웨이퍼 표면의 기본 산화 실리콘 및 잔류 산화물 오염 물질을 선택적으로 제거하여 증착, 리소그래피 및 에칭 공정을 위한 표면 상태를 최적화합니다.

정밀 선택적 에칭:IC 제조 시 SiO2 유전체층, 게이트 산화물층, 박막층의 미세 식각에 사용되며, 높은 식각 균일성과 뛰어난 공정 제어성을 갖추고 있어 정밀한 패턴 전사가 가능합니다.

RCA 웨트클리닝 프로세스:수정된 RCA 세정 솔루션의 핵심 구성 요소로 사용되어 웨이퍼 표면의 미세-입자, 이온 불순물 및 유기 잔류물을 제거하여 전반적인 웨이퍼 청결도를 향상시킵니다.

고급 패키징 및 MEMS 프로세스:고정밀 마이크로 전자 제조 요구 사항에 맞춰 MEMS 장치, 반도체 센서 및 고급 칩 패키징 구성 요소의 표면 처리, 마이크로{0}}에칭 및 불순물 제거에 적용됩니다.

포장 유형:부식-저항성 PTFE-라이닝/클린-등급 HDPE 밀봉 드럼, 전용 HF 화학 포장

공통 사양:25kg / 30kg 소형 드럼, 1000kg 부식-방지 IBC 토트백

채우는 환경:클래스 1000 클린룸, 완전 부식-없는 생산 및 충전 시스템, 2차 오염 없음

씰링 표준:특수 반{0}}휘발성 및 누수 방지 밀봉 구조로 휘발성 손실 및 외부 오염을 엄격히 방지합니다.

● 서늘하고 건조하며 통풍이 잘되는 불소화학전용창고에 보관하고 직사광선, 고온, 열원을 피하여 밀봉하여 보관하십시오.

● 화학적 부식과 무효한 반응을 방지하기 위해 유리 제품, 알칼리성 물질, 산화제, 금속 물질과 엄격히 격리하십시오.

● 휘발성 변질 및 흡습 오염을 방지하기 위해 장기간 개방 보관을 금지합니다.-

● 유효 기간:표준 밀봉 보관 조건에서 12개월

● 불산은 부식성이 강하고 휘발성이 높습니다. 작업자는 불소-내성 장갑, 완전히 밀폐된 화학 고글, 부식 방지-앞치마 및 보호복 등 전문적인 지원 PPE를 착용해야 합니다.

● 모든 작업은 전문적인 흄후드에서 수행되어야 합니다. 휘발성 가스의 흡입과 피부, 눈, 점막과의 직접적인 접촉을 피하십시오.

● 희석 및 투여 중에 탈이온수에 산을 천천히 첨가합니다. 튀는 사고와 안전 사고를 방지하기 위해 진한 불산에는 절대로 물을 첨가하지 마십시오.

● 우발적인 접촉이나 누출이 발생한 경우에는 즉시 특별한 응급 조치를 취해야 하며{0}}SDS 응급 처리 지침을 엄격히 준수해야 합니다.

● 전체 위험 분류, 운송 규정 및 응급처치 절차는-공식 SDS 문서를 참조하세요.

G4 불화수소산의 각 배치는 SEMI G4 국제 반도체 표준에 따라 엄격하게 생산, 정제 및 검사됩니다. 모든 배송에는 배치-별 공식 COA가 첨부되어 있습니다. 전체 생산 및 충진 공정은 엄격한 클린룸 오염 제어 및 내부식성{6}} 공정 관리를 채택하여 초-고순도와 안정적인 품질을 보장하여 고급 반도체 습식 제조 공정의 엄격한 요구 사항을 충족합니다.

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